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一种延长刻蚀腔体开腔保养时间间隔的保养方法

摘要

本发明公开了一种延长刻蚀腔体开腔保养时间间隔的保养方法,在刻蚀腔体闭合状态下去除腔体内堆积的聚合物,所述方法包括:使用低压大流量大功率气体和高压小流量大功率的各向同性等离子刻蚀分别去除腔体下部和内部边角的聚合物,然后通过大流量气体抽放的动作和后续的抽空将腔体内由于刻蚀反应产生的以及悬浮的颗粒排出腔体。定期对腔体采用上述的等离子清洗工艺,可以保证刻蚀腔体内部聚合物堆积量处于较低水平,有效控制颗粒的产生,降低由于颗粒产生的产品缺陷,明显延长开腔保养的时间间隔,实现进一步提高产能,降低制造成本的最终目的。

著录项

  • 公开/公告号CN106449345B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-08-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201610983032.7

  • 申请日2016-11-09

  • 分类号

  • 代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人吴世华

  • 地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

  • 入库时间 2022-08-23 10:15:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-08-28

    授权

    授权

  • 2017-03-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J37/32 申请日:20161109

    实质审查的生效

  • 2017-02-22

    公开

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