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一种解决压降过大的隔离电路

摘要

本发明公开一种解决压降过大的隔离电路,涉及服务器供电技术领域,主要包括一三极管Q1、一MOS管Q2、主板上纽扣电池的P3V3_BAT和主板的P3V3,其中,纽扣电池的P3V3_BAT连接MOS管Q2的D极,主板的P3V3连接MOS管Q2的S极,MOS管Q2的G极与三极管Q1的集电极相连,MOS管Q2的S级连接主板上唤醒芯片IC供电端,同时三极管Q1的基极连接至纽扣电池的P3V3_BAT,三极管Q1的发射极接地。由于MOS管导通时产生的压降比二极管导通时产生的要小很多,本发明能确保唤醒芯片供电端电压控制在正常电压范围内,有效避免了芯片因电压过低无法正常工作的问题,提高了系统的稳定性和安全性。

著录项

  • 公开/公告号CN105138099B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-08-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浪潮电子信息产业股份有限公司;

    申请/专利号CN201510495172.5

  • 发明设计人 罗嗣恒;

    申请日2015-08-13

  • 分类号

  • 代理机构济南信达专利事务所有限公司;

  • 代理人姜明

  • 地址 250101 山东省济南市高新区浪潮路1036号

  • 入库时间 2022-08-23 10:15:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-08-14

    授权

    授权

  • 2016-01-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F1/26 申请日:20150813

    实质审查的生效

  • 2015-12-09

    公开

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