公开/公告号CN1302550C
专利类型发明授权
公开/公告日2007-02-28
原文格式PDF
申请/专利权人 力晶半导体股份有限公司;
申请/专利号CN02132151.5
申请日2002-09-03
分类号H01L27/10(20060101);G11C11/34(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人马莹;邵亚丽
地址 台湾省新竹市
入库时间 2022-08-23 08:59:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-11-23
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/10 授权公告日:20070228 终止日期:20100903 申请日:20020903
专利权的终止
2011-11-23
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/10 授权公告日:20070228 终止日期:20100903 申请日:20020903
专利权的终止
2007-02-28
授权
授权
2007-02-28
授权
授权
2005-02-16
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20050114 申请日:20020903
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2005-02-16
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20050114 申请日:20020903
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2005-02-16
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20050114 申请日:20020903
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2004-05-19
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-05-19
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-03-10
公开
公开
2004-03-10
公开
公开
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机译: 具有低电压读取路径和高电压擦除/写入路径的EEPROM存储器单元
机译: 具有低电压读取路径和高电压擦除/写入路径的EEPROM存储器单元
机译: 具有低电压读取路径和高电压擦除/写入路径的EEPROM存储器单元