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一种低功耗低温漂CMOS亚阈值基准电路

摘要

一种低功耗低温漂CMOS亚阈值基准电路,属于电源管理技术领域。包括启动电路,负温产生电路和基准电压输出电路,启动电路在电源建立的时候防止整个电路停留在零状态,启动完成之后退出;负温产生电路利用NMOS管阈值电压VTH产生μT2电流,其中μ为迁移率,并将μT2电流引入NMOS管产生带正温补偿的负温度系数电压;负温产生电路输出的带正温补偿的负温度系数电压与基准电压输出电路产生的正温度系数电压进行叠加,得到基准电压VREF。本发明得到的基准电压VREF在‑55℃~110℃温度范围内能达到近似零温的特性;实现了μW量级的超低功耗。

著录项

  • 公开/公告号CN107272819B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-07-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201710674463.X

  • 申请日2017-08-09

  • 分类号G05F3/26(20060101);

  • 代理机构51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人葛启函

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2022-08-23 10:14:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-07-20

    授权

    授权

  • 2017-11-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):G05F3/26 申请日:20170809

    实质审查的生效

  • 2017-10-20

    公开

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