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一种大面积超薄石墨烯/二硫化钼超晶格异质材料

摘要

一种大面积超薄石墨烯/二硫化钼超晶格异质材料,采用层递式转移方法制备的由石墨烯和二硫化钼薄膜构成的多层薄膜,石墨烯的厚度是0.34‑2nm,面积要求是0.25mm2‑1cm2,二硫化钼的厚度是0.65‑3.5nm,面积要求是0.25mm2‑1cm2,采用化学气相沉积方法制备,并利用湿法循环转移直至形成总厚度为3.96‑110nm,形成超晶格异质结构,并将该大面积超薄石墨烯/二硫化钼形成的超晶格异质材料用于二维材料/单晶硅异质太阳能电池中。本发明的优点是:在不增加设备成本的前提下,制备新型超薄二维超晶格材料/单晶硅异质太阳能电池,最终提高了电池的光电转换效率。

著录项

  • 公开/公告号CN106409957B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-06-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津理工大学;

    申请/专利号CN201611018756.4

  • 申请日2016-11-21

  • 分类号H01L31/072(20120101);H01L31/028(20060101);H01L31/0336(20060101);

  • 代理机构12002 天津佳盟知识产权代理有限公司;

  • 代理人侯力

  • 地址 300384 天津市西青区宾水西道391号天津理工大学主校区

  • 入库时间 2022-08-23 10:13:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-06-19

    授权

    授权

  • 2017-03-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/072 申请日:20161121

    实质审查的生效

  • 2017-02-15

    公开

    公开

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