一种渐变电场限制环高压快恢复二极管芯片及其生产工艺

摘要

本发明公开了一种渐变电场限制环高压快恢复二极管芯片及其生产工艺，属于半导体芯片领域。一种渐变电场限制环高压快恢复二极管芯片，包括芯片、N+截止环、渐变电场限制环和P+阳极，所述的芯片为快恢复二极管芯片；芯片截层从右向左依次为芯片、N+截止环、渐变电场限制环和P+阳极。渐变电场限制环由从P+阳极到N+截止环宽度逐渐变小的若干个电场限制环组成。从P+阳极到芯片边缘，电场限制环的宽度逐渐变小，电场限制环之间的间距逐渐变大，从而达到高压电势从P+阳极到芯片边缘线性变小和电场均匀分布的目的；它具有电场分布均匀，击穿电压高，开关损耗低，漏电流小，反向功耗少的优点。