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基于磁性隧道结电阻比较的物理不可克隆功能

摘要

一种方法包括将第一磁性隧道结(MTJ)元件和第二MTJ元件耦合到比较电路。该方法还包括在比较电路处将第一MTJ元件的第一电阻与第二MTJ元件的第二电阻进行比较。该方法进一步包括基于将第一电阻与第二电阻进行比较的结果来生成第一物理不可克隆功能(PUF)输出位。

著录项

  • 公开/公告号CN107004441B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-07-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN201580063299.8

  • 发明设计人 B·M·罗森伯格;X·朱;X·郭;

    申请日2015-11-04

  • 分类号G11C11/16(20060101);

  • 代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人周敏;陈炜

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 10:13:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-07-03

    授权

    授权

  • 2017-08-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/16 申请日:20151104

    实质审查的生效

  • 2017-08-01

    公开

    公开

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