SOI-MOSFET模型及其参数提取方法

摘要

本发明提供一种SOI‑MOSFET模型及其参数提取方法，所述模型包括第一模型和第二模型，所述第一模型为衬底寄生模型，所述第二模型为移去衬底寄生网络的MOSFET模型。本发明提出的SOI‑MOSFET模型，可以解析提取衬底寄生网络模型参数以及衬底外的MOSFET参数，提取方法简单易操作。根据测量和模型仿真结果，该方法所提取的模型与工作在20GHz频率范围内的SOI‑MOSFET具有好的吻合度，另外，根据不同尺寸器件模型的衬底寄生参数值以及优化值，可以推算出衬底寄生效应与器件尺寸之间存在的关系。所述第一模型适用于所有尺寸的SOI‑MOSFET器件。