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一种二维原子层厚度ZnO单晶纳米片及其制备方法

摘要

本发明公开一种二维原子层厚度ZnO单晶纳米片,所述原子层厚度的ZnO纳米片是采用热蒸发法制备获得,相比于其它的ZnO纳米片,本发明的二维原子层厚度ZnO单晶纳米片厚度更薄、结晶性更好,更便于剥离使用。本发明还公开了二维原子层厚度ZnO单晶纳米片的制备方法,该方法包括以下步骤:(1)将锌粉、衬底放入管式炉中;(2)打开机械泵,对管式炉抽真空,充入压缩空气;(3)设定升温程序,反应后自然降温;(4)取出样品,衬底上生长了原子层厚度的ZnO纳米片。该方法制备步骤简单、耗时少、重复性高。

著录项

  • 公开/公告号CN105839189B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-06-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院理化技术研究所;

    申请/专利号CN201510024107.4

  • 申请日2015-01-16

  • 分类号

  • 代理机构北京正理专利代理有限公司;

  • 代理人张文祎

  • 地址 100190 北京市海淀区中关村东路29号

  • 入库时间 2022-08-23 10:12:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-06-19

    授权

    授权

  • 2016-09-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/64 申请日:20150116

    实质审查的生效

  • 2016-08-10

    公开

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