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一种石墨烯促进光催化半导体硫化矿物细菌浸出的方法

摘要

本发明公布了一种石墨烯促进光催化半导体硫化矿物细菌浸出的方法,属于生物冶金技术领域。石墨烯具有导电性好、表面积大、透光性好等优点,能够促进光生电子转移,增加光生电子的利用率,从而显著增加半导体硫化矿物浸出率。嗜酸铁硫氧化细菌在添加0.2‑3 g/L石墨烯,光照条件下浸出半导体硫化矿物。光强6000‑12000 Lux 添加0.2‑3 g/L石墨烯的浸出结果与黑暗不添加石墨烯的浸出结果比较,其浸出率增加了28.9%‑49.7%,与光强6000‑12000 Lux不添加石墨烯的浸出结果比较,其浸出率增加了3.3%‑19.9%。本发明的方法能够显著提高半导体硫化矿物浸出率,使得半导体硫化矿物更具有综合利用价值。

著录项

  • 公开/公告号CN105886760B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-05-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中南大学;

    申请/专利号CN201610306528.0

  • 申请日2016-05-11

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号

  • 入库时间 2022-08-23 10:11:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-10-18

    著录事项变更 IPC(主分类):C22B3/18 变更前: 变更后: 申请日:20160511

    著录事项变更

  • 2018-05-29

    授权

    授权

  • 2016-10-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):C22B3/18 申请日:20160511

    实质审查的生效

  • 2016-08-24

    公开

    公开

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