首页> 中国专利> 产生待使用自对准双图型化程序绕线技术制造的电路布局的方法

产生待使用自对准双图型化程序绕线技术制造的电路布局的方法

摘要

本文揭露一种产生待使用自对准双图型化程序绕线技术制造的电路布局的方法,该方法还含括产生一组心轴掩膜规则、阻隔掩膜规则、以及虚拟、软体式非心轴金属掩膜。本方法也包括建立一组其为心轴掩膜规则仿件的虚拟非心轴掩膜规则、基于心轴掩膜规则、阻隔掩膜规则及虚拟非心轴掩膜规则产生一组金属绕线设计规则、基于金属绕线设计规则产生电路绕线布局、将电路绕线布局分解成心轴掩膜图型及阻隔掩膜图型、产生对应于心轴掩膜图型的第一组掩膜资料、以及产生对应于阻隔掩膜图型的第二组掩膜资料。

著录项

  • 公开/公告号CN104517005B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-05-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 格罗方德半导体公司;

    申请/专利号CN201410525042.7

  • 申请日2014-10-08

  • 分类号G06F17/50(20060101);G03F1/70(20120101);

  • 代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟;王锦阳

  • 地址 英属开曼群岛大开曼岛

  • 入库时间 2022-08-23 10:11:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-05-25

    授权

    授权

  • 2015-05-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20141008

    实质审查的生效

  • 2015-04-15

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号