在功率半导体中用于电流传感器的半导体布置

摘要

本发明涉及一种用于功率半导体中的电流传感器的半导体布置，所述半导体布置在衬底(1)上包括具有绝缘栅电极的晶体管单元(2)的多重布置，所述晶体管单元的发射极端子(10)在第一区域(12)中通过第一导电层(16)与至少一个输出端子(25)连接，并且其发射极端子(10)在第二区域(13)中通过第二导电层(17)与至少一个传感器端子(18)连接，所述至少一个传感器端子布置在第一单元区域边界(14)之外，所述第一单元区域边界包围所述第一区域(12)的晶体管单元(2)和所述第二区域(13)的晶体管单元(2)，其中，在所述第二区域(13)的晶体管单元(2)和所述传感器端子(18)之间构造有属于所述第一单元区域边界(14)的沟槽结构，在朝所述衬底(1)的外部边缘的方向上，与所述第一导电层(16)连接的掺杂层(15)连接所述沟槽结构。