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核素轰击的靶、轰击系统和方法

摘要

本公开涉及核素轰击系统及方法以及用于核素轰击的靶及其形成方法。在一个实施例中,靶可以包括具有吸氢属性的金属元素的单晶薄层,以及处于所述金属元素的单晶薄层中作为填隙核素的氢的第一同位素。所述氢的第一同位素形成包括基本沿着所述金属元素单晶中的晶格通道排列的核素的点阵。在某些实现方式中,靶的厚度可以为5μm或更小。在另外的实施例中,可以将氢的第二同位素基本沿所述金属元素的单晶中的晶格通道射向所述靶。氢的第二同位素可以具有例如大于等于约10keV的能量。

著录项

  • 公开/公告号CN105407622B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-04-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 邱慈云;

    申请/专利号CN201410457908.5

  • 发明设计人 邱慈云;

    申请日2014-09-11

  • 分类号

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人刘倜

  • 地址 美国加利福尼亚

  • 入库时间 2022-08-23 10:10:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-04-20

    授权

    授权

  • 2018-01-12

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H05H6/00 登记生效日:20171226 变更前: 变更后: 申请日:20140911

    专利申请权、专利权的转移

  • 2016-04-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):H05H6/00 申请日:20140911

    实质审查的生效

  • 2016-03-16

    公开

    公开

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