法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-05-08
授权
授权
2016-07-27
实质审查的生效 IPC(主分类):G01R31/12 申请日:20160127
实质审查的生效
2016-06-29
公开
公开
机译: 在不降低击穿电压特性的情况下用于形成浅结的源/漏区的击穿特性改进的晶体管制造方法
机译: 闸门边缘结构的基于氮化物的半导体装置及其制造方法,可保持正向电流电压特性并增加击穿电压
机译: 具有改善击穿电压特性的散热结构,采用相同结构的照明装置以及照明装置的制造方法