法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-30
专利权的转移 IPC(主分类):H02M7/00 登记生效日:20200611 变更前: 变更后: 申请日:20150515
专利申请权、专利权的转移
2018-04-27
授权
授权
2015-09-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H02M7/00 申请日:20150515
实质审查的生效
2015-08-12
公开
公开
机译: 生产用于蚀刻半导体衬底的三氟化氯的设备包括等离子体反应器,用于在反应器内部形成等离子体的等离子体产生单元和用于将气体引入反应器的气体进料
机译: 生产用于蚀刻半导体衬底的三氟化氯的设备包括等离子体反应器,用于在反应器内部形成等离子体的等离子体产生单元和用于将气体引入反应器的气体进料
机译: 等离子体显示板的能量回收装置和能量回收方法,特别是减少了能量回收装置占用的空间