通过多晶硅吸杂降低CMOS图像传感器白像素的方法

摘要

本发明公开了一种通过多晶硅吸杂降低CMOS图像传感器白像素的方法，针对传统CMOS图像传感器白像素较高的问题，通过优化传统CIS工艺集成方法，利用传统工艺中必不可少的制作多晶硅传输栅的多晶硅层，在退火过程中吸附硅外延层中的金属杂质，使光电二极管中的金属杂质含量得以降低，从而有效降低了CMOS图像传感器中白像素的数量。