法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-20
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L31/0304 授权公告日:20180403 终止日期:20181230 申请日:20161230
专利权的终止
2018-04-03
授权
授权
2017-06-16
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0304 申请日:20161230
实质审查的生效
2017-05-24
公开
公开
机译: 基于砷化铟-锑-铋-铋的异构结构及其制备方法
机译: 包含铝,镓,铟,砷和锑的化合物的半导体组件具有台面结构,其侧面具有铝,镓,砷和锑的化合物的钝化层。
机译: 一种制备二氧化硫的方法,除了含锑的材料或含锑的砷和砷外,还通过分阶段的芳雌烯硫来保持高强度气体。