公开/公告号CN1284680C
专利类型发明授权
公开/公告日2006-11-15
原文格式PDF
申请/专利权人 雷恩哈德库兹两合公司;
申请/专利号CN01818245.3
申请日2001-11-02
分类号B42D15/10(20060101);B41M5/24(20060101);
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人李勇
地址 德国菲尔特
入库时间 2022-08-23 08:58:49
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-10-25
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B42D 15/10 授权公告日:20061115 终止日期:20181102 申请日:20011102
专利权的终止
2006-11-15
授权
授权
2006-11-15
授权
授权
2004-04-14
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-04-14
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-02-04
公开
公开
2004-02-04
公开
公开
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机译: 薄膜层压体,使用该薄膜层压体的薄膜磁传感器以及制造该薄膜层压体的方法
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