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从砷化镓芯片生产废料中制备砷的硫化物的方法

摘要

本发明公开了一种从砷化镓芯片生产废料中制备砷的硫化物的方法,将砷化镓芯片生产废料经过破碎、研磨,将芯片粉末与升华硫混合均匀,在氮气氛围下进行加热、蒸发、冷凝、除硫,制备得到低毒性砷的硫化物。本发明不仅有效提取了砷化镓芯片生产废料中的砷,而且在提取过程中,镓也以硫化物形式稳定残留在坩埚中,得到富集。本发明在减少环境污染和提高资源利用率方面优势突出,具有成本低、高效、无污染等特点。

著录项

  • 公开/公告号CN106399696B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-03-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华东师范大学;

    申请/专利号CN201610908388.4

  • 发明设计人 詹路;李建国;

    申请日2016-10-11

  • 分类号

  • 代理机构上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人徐筱梅

  • 地址 200241 上海市闵行区东川路500号

  • 入库时间 2022-08-23 10:08:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-13

    授权

    授权

  • 2017-03-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):C22B7/00 申请日:20161011

    实质审查的生效

  • 2017-02-15

    公开

    公开

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