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公开/公告号CN104779919B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-03-02
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第五十四研究所;
申请/专利号CN201510220400.8
发明设计人 杨格亮;许仕龙;杜克明;王明;魏恒;刘长龙;吕杰;
申请日2015-05-04
分类号
代理机构河北东尚律师事务所;
代理人王文庆
地址 050081 河北省石家庄市中山西路589号第五十四所专用集成电路与应用软件专业部
入库时间 2022-08-23 10:07:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-03-02
授权
2015-08-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H03F1/26 申请日:20150504
实质审查的生效
2015-07-15
公开
机译: 低功耗超宽带低噪声放大器电路
机译: 低功耗超宽带接收机的低噪声放大器
机译:具有前向体偏置技术的0.6 V,低功耗,高增益超宽带低噪声放大器,用于低压运行
机译:采用前向偏置和前向组合技术的3.1-10.6-GHz电流重用CMOS超宽带低噪声放大器
机译:低功耗超宽带互补金属氧化物半导体LNA的预低噪声放大器(LNA)滤波线性化方法
机译:具有自偏置的超宽带低噪声放大器,可改善增益并降低功耗
机译:一种用于超宽带无线接收器的新型低噪声放大器的设计。
机译:静电场超宽带太赫兹脉冲的岩体固态偏置相干性检测
机译:设计3.1-6.0 GHz CMOS超宽带低噪声放大器,用于无线应用前体偏置技术
机译:可制造的三叠层alsb / Inas HEmT低噪声放大器,采用晶圆级封装技术,适用于轻量级和超低功耗应用