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甲胺卤化铅酸盐化合物单晶微米薄片生长方法及生长装置

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摘要

本发明涉及甲胺卤化铅酸盐化合物单晶微米薄片生长方法及生长装置，生长方法包括步骤如下：(1)将CH

1. 甲胺卤化铅酸盐化合物单晶微米薄片生长方法及生长装置 [P] . 中国专利： CN105586641B . 2018.02.09
2. 甲胺卤化铅酸盐化合物大尺寸晶体生长方法及装置 [P] . 中国专利： CN104372412B . 2016.08.24
3. Production method and grain growth device of compound semiconductor monocrystal [P] . 日本专利： JPWO2008099839A1 . 2010-05-27

机译：化合物半导体单晶的制造方法和晶粒生长装置
4. Process for producing single crystal of compound semiconductor and crystal growing apparatus [P] . 美国专利： US6989059B2 . 2006-01-24

机译：化合物半导体的单晶的制造方法及晶体生长装置
5. Apparatus and method for pressure equilibrium growth of group III-V single crystal semiconductor compound [P] . 日本专利： JP2006519751A . 2006-08-31

机译： III-V族单晶半导体化合物的压力平衡生长的装置和方法