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公开/公告号CN1283835C
专利类型发明授权
公开/公告日2006-11-08
原文格式PDF
申请/专利权人 中山大学;
申请/专利号CN03140333.6
发明设计人 许宁生;周军;邓少芝;陈军;佘峻聪;
申请日2003-08-29
分类号C23C26/00(20060101);
代理机构44100 广州新诺专利商标事务所有限公司;
代理人华辉
地址 510275 广东省广州市新港西路135号
入库时间 2022-08-23 08:58:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-11-08
授权
2004-06-30
实质审查的生效
2004-04-28
公开
机译: 面积较大的钨,钼及其氧化物组成的纳米线和纳米线及其制备和应用
机译: 利用金属氧化物纳米线的制备方法制备纳米含能材料和薄膜晶体管
机译: 金属氧化物纳米线阵列,以及制备方法
机译:钨-钼氧化物纳米线/氧化石墨烯纳米复合材料具有增强的持久性,可用于电催化制氢反应
机译:在诸如甲基钴硒化纳米线阵列上生长的自支撑钼硒纳茶片以获得有效的氢气进化
机译:胶束定向制备三元氢氧化物碳酸镍 - 氢氧化镍氧化镍氧化烯氧化物复合多孔纳米线阵列,具有卓越的法拉米电容性能
机译:电纺丝制备的钼和钨氧化物纳米线
机译:氧化锡掺杂的二氧化钛纳米纤维,硫化铅QDS掺杂的二氧化钛纳米管,银钒氧化物纳米线的制备与应用。
机译:超分子组装嵌段共聚物纳米多孔薄膜为模板的高度有序的聚合物纳米点和纳米线阵列的制备。
机译:超分子组装嵌段共聚物纳米多孔薄膜模板制备高度有序的纳米线和纳米线阵列
机译:反应溅射沉积法制备锌,铝和钒(及相关系统,金和锗氧化物,铝和钨氮化物)氧化物的低温薄膜生长