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用于织构化硅基板表面的工艺、结构化基板和包括结构化基板的光伏装置

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本发明涉及用于织构化硅基板表面的方法，包括将所述表面暴露于MDECR等离子体的步骤，该MDECR等离子体由氩气在矩阵分布式电子回旋共振等离子体源中产生，其中等离子体功率在1.5W/cm

著录项

公开/公告号CN104488090B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-01-30

原文格式PDF
申请/专利权人道达尔销售服务公司;国家科学研究中心;巴黎综合理工学院;
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申请/专利号CN201280070503.5
发明设计人 N.哈布卡;P.布尔津;P.罗卡伊卡巴洛卡斯;
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申请日2012-12-20
分类号
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人邱军
地址法国皮托
入库时间 2022-08-23 10:07:14

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-01-30

授权

授权
2015-04-29

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0236 申请日:20121220

实质审查的生效
2015-04-01

公开

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