一种具有复制单元字线电压抬升技术的SRAM时序控制电路

摘要

本发明公开了一种SRAM复制位线电路，包括：时序复制电路模块与复制单元字线电压抬升模块；其中：所述时序复制电路模块并联在复制单元字线与复制位线之间；所述复制单元字线电压抬升模块一端与时钟信号端相连，另一端与所述复制单元字线相连，用于将输入的时钟信号处理为高电压的电平信号，并传输给复制单元字线；复制单元字线的电压越大，放电单元电流及其偏差越大，从而使得时序控制电路延迟偏差越小。本发明提供的电路不仅在低电源电压下具有很好的抗工艺偏差能力，同时不会大幅度增加芯片的面积，且不影响芯片运行速度。