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薄膜晶体管和有源矩阵有机发光二极管组件及其制造方法

摘要

本公开提供一种有源矩阵有机发光二极管组件,包括衬底和位于所述衬底上的多个像素,每个像素至少包括有机发光二极管、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,其中,所述第二薄膜晶体管用于驱动所述有机发光二极管,所述第一薄膜晶体管用于驱动所述第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括位于所述衬底之上的缓冲层、位于所述缓冲层上的半导体层、覆盖所述半导体层的栅绝缘层、及位于所述栅绝缘层上的栅电极,所述半导体层包括第一导电类型的源区和漏区,以及所述半导体层还包括在所述半导体层底部的位于所述源区和所述漏区之下的第二导电类型的底部掺杂区。由此,可改善AMOLED组件的漏电流,避免因漏电流过大造成组件操作不稳定甚至失效。

著录项

  • 公开/公告号CN104240633B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-01-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海和辉光电有限公司;

    申请/专利号CN201310226626.X

  • 发明设计人 许嘉哲;黃家琦;许民庆;

    申请日2013-06-07

  • 分类号H01L29/786(20060101);H01L27/12(20060101);H01L51/56(20060101);

  • 代理机构11438 北京律智知识产权代理有限公司;

  • 代理人姜怡;阚梓瑄

  • 地址 201500 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室

  • 入库时间 2022-08-23 10:05:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-21

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L29/786 变更前: 变更后: 申请日:20130607

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2018-01-09

    授权

    授权

  • 2015-01-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):G09G3/32 申请日:20130607

    实质审查的生效

  • 2014-12-24

    公开

    公开

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