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氮化物半导体多层膜反射镜以及使用了该反射镜的发光元件

摘要

本发明实现了氮化物半导体多层膜反射镜的低电阻化。在氮化物半导体多层膜反射镜中,第一半导体层(104)的Al成分与第二半导体层(106)的Al成分相比而较高,在第一半导体层(104)与第二半导体层(106)之间并在第一半导体层(104)的111族元素表面侧,存在有以Al成分随着靠近第二半导体层(106)而降低的方式被调节的第一成分倾斜层(105),并且在第一半导体层(104)的氮表面侧,存在有以Al成分随着靠近第二半导体层(106)而降低的方式被调节的第二成分倾斜层(103),相对于第一半导体层(104)、第二半导体层(106)、第一成分倾斜层(105)以及第二成分倾斜层(103)的传导带下端的电子的能级不存在水平断错而为连续,第一成分倾斜层(105)中的n型杂质浓度为5×1019cm‑3以上。

著录项

  • 公开/公告号CN105103392B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-01-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 学校法人名城大学;

    申请/专利号CN201480020256.7

  • 发明设计人 竹内哲也;岩谷素顕;赤崎勇;

    申请日2014-03-19

  • 分类号H01S5/183(20060101);H01S5/343(20060101);

  • 代理机构11225 北京金信知识产权代理有限公司;

  • 代理人黄威;苏萌萌

  • 地址 日本爱知县

  • 入库时间 2022-08-23 10:05:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-01-05

    授权

    授权

  • 2015-12-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/183 申请日:20140319

    实质审查的生效

  • 2015-11-25

    公开

    公开

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