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一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源

摘要

本发明公开一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源,其特征是,包括启动电路、IPTATa基准电流源电路、IPTATb基准电流源电路和温度补偿电路;启动电路连接到IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路,并在基准电压源开启时提供电流,使得基准电压源摆脱简并偏置点;IPTATa基准电流源电路和IPTATb基准电流源电路分别产生一个偏置电流为温度补偿电路提供电流偏置;温度补偿电路将2个偏置电流分别以不同的倍数作差,得到一个与温度无关的基准电流,并驱动温度补偿电路中MOS管得到一个不受电源电压和温度变化影响的输出电压。本发明具有功耗低、版图面积小、器件与标准CMOS工艺匹配、温度系数低和电源电压抑制比高的特点。

著录项

  • 公开/公告号CN106527559B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-12-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 桂林电子科技大学;

    申请/专利号CN201611234699.3

  • 申请日2016-12-28

  • 分类号G05F1/56(20060101);

  • 代理机构45107 桂林市持衡专利商标事务所有限公司;

  • 代理人陈跃琳

  • 地址 541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号

  • 入库时间 2022-08-23 10:05:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-12-26

    授权

    授权

  • 2017-04-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):G05F1/56 申请日:20161228

    实质审查的生效

  • 2017-03-22

    公开

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