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公开/公告号CN104885228B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-01-02
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201480003664.1
发明设计人 R·皮拉里塞泰;W·拉赫马迪;V·H·勒;S·H·宋;J·S·卡治安;J·T·卡瓦列罗斯;H·W·田;G·杜威;M·拉多萨夫列维奇;B·舒金;N·慕克吉;
申请日2014-01-09
分类号
代理机构永新专利商标代理有限公司;
代理人陈松涛
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2022-08-23 10:05:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-01-02
授权
2015-09-30
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20140109
实质审查的生效
2015-09-02
公开
机译: 具有锗或III-V族有源层的深口 - 全部半导体器件
机译: 具有有源锗或III-V族层的深栅全能半导体器件
机译:使用超薄GeSnO_x膜作为表面钝化层的具有HfO_2栅极电介质的Ge金属氧化物半导体器件的改进电性能
机译:具有III族氮化物/ SiC异质界面的宽间隙半导体器件
机译:噻吩环可改善共轭聚合物在具有厚有源层的聚合物太阳能电池中的器件性能
机译:多功能III族氮化物可稀释磁性半导体外延层和纳米结构,作为自旋电子器件的未来平台
机译:机械应力对硅和锗金属氧化物半导体器件的影响:沟道迁移率,栅极隧穿电流,阈值电压和栅极堆叠
机译:后栅极介电处理对超临界流体技术对锗基金属氧化物半导体器件的影响
机译:使用GeOxNy钝化层通过原子层沉积为锗基金属氧化物半导体器件生长的TiO2 / HfO2双层栅极叠层
机译:具有快速生长的超薄siO2栅极绝缘体的mOs(金属氧化物半导体)器件的界面和击穿特性。