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一种合成具有单一石墨氮掺杂的纳米碳材料的方法

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摘要

本发明公开了一种合成具有单一石墨氮掺杂的纳米碳材料的方法，属于纳米碳材料的合成技术领域。该方法是采用化学气相沉积方法，以乙腈作为碳源和氮源，在沉积基体表面制备具有单一石墨氮掺杂的纳米碳材料；所述化学气相沉积的温度为750‑1000℃，沉积基体为惰性的金属氧化物或活性的FeMo/Al

1. 一种合成具有单一石墨氮掺杂的纳米碳材料的方法 [P] . 中国专利： CN106395872B . 2017.12.15
2. 利用离子交换树脂合成硼氮共掺杂石墨化纳米碳的方法 [P] . 中国专利： CN103112845B . 2014.07.23
3. LTO LTO cathode material with excellent rate characteristics and no gas generation during long-term charge / discharge with graphene quantum dot doped with nitrogen [P] . 韩国专利： KR101882901B1 . 2018-07-27

机译： LTO LTO阴极材料，具有出色的速率特性，并且在长期充/放电过程中没有掺杂氮掺杂的石墨烯量子点而不会产生气体
4. LTO LTO cathode material with excellent rate characteristics and no gas generation during long-term charge / discharge with graphene quantum dot doped with nitrogen [P] . 韩国专利： KR101882899B1 . 2018-07-27

机译： LTO LTO阴极材料，具有出色的速率特性，并且在长期充/放电过程中没有掺杂氮掺杂的石墨烯量子点而不会产生气体
5. PROCESS FOR PREPARING A COMPOSITE MATERIAL IRON- AND NITROGEN-DOPED TITANIUM DIOXIDE/REDUCED GRAPHENE OXIDE WITH EXTENDED PHOTOCATALYTICAL ACTIVITY IN THE VISIBLE RANGE [P] . RO133146A2 . 2019-03-29

机译：在可见光范围内制备具有扩展的光催化活性的复合材料的铁和氮掺杂的二氧化钛/还原的氧化石墨烯的方法