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一种改善DHF腐蚀均匀性及控制腐蚀速率的方法

摘要

本发明公开了一种改善DHF腐蚀均匀性及控制腐蚀速率的方法,应用于在单片清洗机中将硅片放置在工艺腔室旋转的夹持结构上进行DHF清洗工艺,通过在同一步骤的工艺过程中,将硅片的转速通过工艺菜单调整为不同的转速进行对应不同时间的工艺,在第一步DHF清洗步骤,可使得DHF均匀地分布在硅片表面,加快新旧药液的交换,提高腐蚀效率和腐蚀的均匀性,在第二步去离子水清洗步骤,可先把硅片表面残留的DHF甩出,并使得去离子水可以快速覆盖到硅片表面,从而改善了DHF清洗工艺后硅片表面的腐蚀均匀性,同时腐蚀速率可控。

著录项

  • 公开/公告号CN104992898B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-12-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京七星华创电子股份有限公司;

    申请/专利号CN201510282567.7

  • 发明设计人 刘效岩;吴仪;赵曾男;

    申请日2015-05-28

  • 分类号

  • 代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人陶金龙

  • 地址 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号

  • 入库时间 2022-08-23 10:04:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-12-08

    授权

    授权

  • 2015-11-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20150528

    实质审查的生效

  • 2015-10-21

    公开

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