公开/公告号CN105399145B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-11-28
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院理化技术研究所;
申请/专利号CN201410407577.4
申请日2014-08-18
分类号C01G51/00(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);H01G11/30(20130101);
代理机构11257 北京正理专利代理有限公司;
代理人张文祎
地址 100190 北京市海淀区中关村东路29号
入库时间 2022-08-23 10:04:26
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-11-28
授权
授权
2016-04-13
实质审查的生效 IPC(主分类):C01G51/00 申请日:20140818
实质审查的生效
2016-03-16
公开
公开
机译: 一种在金属上电沉积三价乙炔三层镍---钴或镍基leungungsueberzuegen的方法
机译: 3 NiCo2S4 / NiOH2-3维导电碳电极上3D分层介孔NiCo2S4 / NiOH2核壳纳米片阵列的制备方法及其在高性能超级电容器中的应用
机译: 3 NiCo2S4 / NiOH2-3维导电碳电极上3D分层介孔NiCo2S4 / NiOH2核壳纳米片阵列的制备方法及其在高性能超级电容器中的应用