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一种晶界扩散Dy‑Cu合金制备高性能钕铁硼磁体的方法

摘要

一种晶界扩散Dy‑Cu合金制备高性能钕铁硼磁体的方法。将Dy‑Cu合金速凝薄带或普通铸锭粗破后直接作为钕铁硼磁体的表面扩散源,经过扩散热处理,在钕铁硼磁体的晶界形成一层富Dy‑Cu的薄层,从而获得高矫顽力钕铁硼磁体。本发明根据需要设计Dy‑Cu合金成分,制备成Dy‑Cu合金速凝薄带或传统铸锭并粗破碎后,铺在钕铁硼磁体的周围,加热到略高于该Dy‑Cu合金铸锭熔点以上的温度,使其熔融为液态,附着在钕铁硼磁体的表面,随后进行退火热处理,最终得到产品。扩散源Dy‑Cu合金在晶界扩散热处理温度范围内会熔化为液态,不仅可以将Dy‑Cu合金速凝薄带或传统铸锭并粗破碎后作为扩散源,省去制成细粉并表面涂覆的过程,而且能够加速Dy、Cu元素在晶界的扩散,提高扩散层的深度,得到高性能的钕铁硼磁体。

著录项

  • 公开/公告号CN104795228B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-11-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京科技大学;

    申请/专利号CN201510029340.1

  • 发明设计人 包小倩;卢克超;汤明辉;高学绪;

    申请日2015-01-21

  • 分类号

  • 代理机构北京市广友专利事务所有限责任公司;

  • 代理人张仲波

  • 地址 100083 北京市海淀区学院路30号

  • 入库时间 2022-08-23 10:03:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-11-28

    授权

    授权

  • 2015-08-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01F 41/02 申请日:20150121

    实质审查的生效

  • 2015-08-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01F 41/02 申请日:20150121

    实质审查的生效

  • 2015-07-22

    公开

    公开

  • 2015-07-22

    公开

    公开

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