公开/公告号CN1253829C
专利类型发明授权
公开/公告日2006-04-26
原文格式PDF
申请/专利权人 大唐微电子技术有限公司;
申请/专利号CN200310100411.X
申请日2003-10-15
分类号G06K19/07(20060101);
代理机构11262 北京安信方达知识产权代理有限公司;
代理人颜涛;郑霞
地址 100083 北京市海淀区学院路40号
入库时间 2022-08-23 08:58:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-04-26
授权
授权
2004-11-17
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-09-15
公开
公开
机译: 具有存储器器件和逻辑器件的性能优化的栅极结构,该存储器器件具有相对于逻辑器件的硅化物源极/漏极区升高的硅化物源极/漏极区
机译: 虚拟寻址缓冲电路和地址转换方法,系统BIOS屏蔽方法,实存储器优化方法,实存储器使用方法,CPU控制系统中的仿真方法和CPU请求重定向方法
机译: 虚拟寻址缓冲电路和地址转换方法,系统BIOS屏蔽方法,实存储器优化方法,实存储器使用方法,CPU控制系统中的仿真方法和重定向CPU请求(虚拟寻址缓冲电路)