具有减少的读取干扰的边界字线搜索和开放的块读取方法

摘要

呈现了减少NAND型非易失性存储器的部分写入的块上的读取干扰的量的技术，用于当确定在块中的最后写入的字线时以及也用于读取操作两者，所述读取操作包括写入后的验证读取。然后通常使用将未写入的非选择的字线用较低的读取通过电压(read‑pass voltage)来偏置。块的最后写入的字线的确定可以在粗略‑精细搜索中完成，其中字线被分为多个区以寻找具有最后写入的字线的区，所述具有最后写入的字线的区又被细分以用于更精细的搜索。