公开/公告号CN104253156B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-10-27
原文格式PDF
申请/专利权人 台达电子工业股份有限公司;
申请/专利号CN201310412957.2
申请日2013-09-11
分类号
代理机构隆天知识产权代理有限公司;
代理人李昕巍
地址 中国台湾桃园县
入库时间 2022-08-23 10:02:45
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-10-27
授权
授权
2015-01-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20130911
实质审查的生效
2015-01-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20130911
实质审查的生效
2014-12-31
公开
公开
2014-12-31
公开
公开
机译: 一种制备垂直mos-半导体元件的方法,该垂直mos-半导体元件具有垂直部分末端和深处的薄介电层区域。
机译: 具有用于单步压缩机的栅极连接的垂直功率半导体元件具有栅极,其中栅极通过水平横向导轨和垂直栅极放置在元件背面的边缘
机译: 具有垂直分立双极晶体管的半导体元件和具有该半导体元件的半导体器件