高介电常数绝缘层金属栅半导体器件制造方法

摘要

本发明公开了一种HKMG半导体器件制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括偏移间隔物、PSR间隔物和主间隔物使用具有不同湿法刻蚀率的材料，其中偏移间隔物使用具有低湿法刻蚀率的SiN，从而使得在SPT湿法刻蚀过程中保留偏移间隔物，避免了多晶硅假栅的肩损伤，从而进一步避免了生成的金属栅中出现空洞、TiN丢失、多晶硅残留等问题，提高器件的性能。