双位多值弹道MONOS存储器及其制造方法以及编程、动作过程

摘要

在本发明中，公开一种需要2个或3个多晶硅分裂栅极侧壁工艺的、高速低电压弹道编程、超短沟道、超高集成度、双位多电平的闪速存储器及其动作。本发明的构造和动作，可以用具有极短的控制栅极沟道的双MONOS构造实现。该单元构造，可以采用(i)在字栅极(245)的两侧上边的氧化膜-氮化膜-氧化膜(ONO)(230)的叠层膜上边配设侧壁控制栅极(240)，和(ii)借助于自对准形成控制栅极和位掺杂膜，为了得到高集成，共享相邻接的存储单元间的控制栅极和位掺杂膜的办法实现。在本发明中使用的主要要素，是用1)用来具有或不具有台阶构造地制造超短沟道和侧壁控制栅极的可除去的侧壁的制造工艺，和2)存储氮化膜和杂质膜上边的控制栅极的自对准这2种工艺形成的。