一种具有微米、亚微米和纳米多级结构的碳化硅薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种具有微米、亚微米和纳米多级结构的碳化硅薄膜的制备方法。采用光刻工艺在单晶硅片上获得微米级的光刻胶图案，使用过氧化氢和氢氟酸水溶液浸泡带有光刻胶图案的硅片，将未被光刻胶保护的区域腐蚀，用丙酮溶解光刻胶，光刻图案便转移到硅片上，依次采用丙酮、乙醇和去离子水清洗硅片。在具有微米级光刻图案的硅片中注入大剂量的碳离子，然后在氩气气氛中高温退火，退火完毕后待温度降至600℃时关闭氩气并保温2小时，使表层的硅完全氧化，再使用氢氟酸溶液去除表层氧化硅。本发明结合光刻技术和金属蒸汽真空弧离子注入技术，利用该注入技术制备碳化硅的特征，制备出具有多级结构的碳化硅薄膜，具有广阔的应用前景。