一种双轴织构高温超导缓冲层的制备方法

摘要

本发明公开了一种双轴织构高温超导缓冲层的制备方法，一个沉积源沉积MgO到基底上，在MgO薄膜生长的同时，离子束A以和基底法线成40～50度角轰击生长中的MgO，离子束B也同时以和基底法线成40～50度角轰击生长中的MgO，离子束A和离子束B的夹角为55～65度且离子束A和离子束B在基底平面的投影的夹角为85～95度，双轴织构缓冲层有至少一层高温生长的外延层生长在所述的双轴织构的MgO上，外延层的Phi扫描的FWHM小于7度。本发明提供的方法，可以更好的控制双轴织构缓冲层沿特定取向生长，制得优异双轴织构特性的缓冲层，为外延生长ReBCO超导层或其他功能层薄膜提供所必须的单一取向高织构度的优质缓冲层模板。