具有突变结的UTB‑SOI隧穿场效应晶体管及制备方法

摘要

本发明涉及一种具有突变结的UTB‑SOI隧穿场效应晶体管及制备方法，该制备方法包括：选取UTB‑SOI衬底；形成浅沟槽隔离；刻蚀形成P型/N型沟槽；在P型/N型沟槽内淀积硅材料并进行原位掺杂形成P型/N型高掺杂源区；刻蚀形成N型/P型沟槽；在N型/P型沟槽内淀积硅材料并进行原位掺杂形成低掺杂N型/P型漏区；在衬底的顶层硅表面形成栅介质层和前栅极层，刻蚀形成前栅；光刻引线窗口，淀积金属，光刻引线，形成源漏区、前栅金属引线。本发明在源漏区通过刻蚀沟槽并选择性外延淀积填充的工艺制备，能够精确的限定隧穿结面积，同时采用原位掺杂，有助于形成陡峭掺杂浓度梯度的隧穿结和掺杂均匀的源漏区，可有效的提高器件驱动电流及降低亚阈斜率。