法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-09-29
授权
授权
2014-08-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20131227
实质审查的生效
2014-08-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20131227
实质审查的生效
2014-07-09
公开
公开
2014-07-09
公开
公开
机译: 使用沟槽自对准硅化物布线层的方法
机译: 一种自对准多晶硅化物制造方法,该方法使用材料的平坦化层将多晶硅结构暴露于顺序沉积的金属层上,该金属层反应形成金属硅化物
机译: 形成双金属自对准硅化物层的方法和包括该双金属自对准硅化物层的半导体器件的制造方法