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通过磁场的施加进行数据写入的薄膜磁性体存储装置

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周边电路(5)与存储阵列(2)邻接配置，对于存储阵列(2)进行数据读出以及数据写入，用于向周边电路(5)供给动作电压的电源电压布线(PL)以及接地布线(GL)分别供给电源电压(Vcc)以及接地电压(GND)，电源电压布线(PL)以及接地布线(GL)配置成使得由流过电源电压布线(PL)产生的磁场与流过接地布线(GL)的电流产生的磁场在存储阵列(2)中相互抵消。

著录项

公开/公告号CN1263040C

专利类型发明授权
公开/公告日2006-07-05

原文格式PDF
申请/专利权人三菱电机株式会社;
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申请/专利号CN02147057.X
发明设计人日高秀人;
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申请日2002-10-25
分类号G11C11/15(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人刘宗杰;叶恺东
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 08:58:30

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-12-15

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 11/15 授权公告日:20060705 终止日期:20161025 申请日:20021025

专利权的终止
2014-05-07

专利权的转移 IPC(主分类):G11C 11/15 变更前: 变更后: 登记生效日:20140416 申请日:20021025

专利申请权、专利权的转移
2014-05-07

专利权的转移 IPC(主分类):G11C 11/15 变更前: 变更后: 登记生效日:20140416 申请日:20021025

专利申请权、专利权的转移
2006-07-05

授权

授权
2006-07-05

授权

授权
2003-07-16

实质审查的生效

实质审查的生效
2003-07-16

实质审查的生效

实质审查的生效
2003-04-30

公开

公开
2003-04-30

公开

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1. 通过磁场的施加进行数据写入的薄膜磁性体存储装置 [P] . 中国专利： CN1263040C . 2006.07.05
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