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用于低暗电流CMOS像素单元的接地触点结构

摘要

本申请案涉及用于低暗电流CMOS像素单元的接地触点结构。本发明涉及用以提供用于CMOS像素单元的接地触点的像素阵列结构。在一实施例中,像素单元的有源区域包含安置于有源区域的第一部分中的光电二极管,其中所述有源区域的第二部分从所述第一部分的一侧延伸。所述第二部分包含经掺杂区以提供用于所述有源区域的接地触点。在另一实施例中,所述像素单元包含用以从所述光电二极管转移电荷的晶体管,其中所述晶体管的栅极邻近于所述第二部分且与所述第一部分的所述侧重叠。

著录项

  • 公开/公告号CN103581580B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-08-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 豪威科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201310303157.7

  • 发明设计人 真锅宗平;柳政澔;

    申请日2013-07-18

  • 分类号

  • 代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人齐杨

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 10:00:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-08-29

    授权

    授权

  • 2016-12-07

    著录事项变更 IPC(主分类):H04N 5/374 变更前: 变更后: 申请日:20130718

    著录事项变更

  • 2016-12-07

    著录事项变更 IPC(主分类):H04N 5/374 变更前: 变更后: 申请日:20130718

    著录事项变更

  • 2014-03-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H04N 5/374 申请日:20130718

    实质审查的生效

  • 2014-03-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H04N 5/374 申请日:20130718

    实质审查的生效

  • 2014-02-12

    公开

    公开

  • 2014-02-12

    公开

    公开

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