宽带低水峰非色散位移单模光纤生产工艺

摘要

本发明涉及的是一种应用在光通信网络中宽带低水峰非色散位移单模光纤(简称G.652C/D光纤)生产工艺。该工艺方法是(1)宽带低水峰非色散位移单模光纤半成品拉制；(2)宽带低水峰非色散位移单模光纤半成品复绕筛选；(3)宽带低水峰非色散位移单模光纤半成品的氘气反应；所用氘氮混气中氘气浓度占1～3%；混气压力为0.5～1Kg，，反应时间为24～36小时，气体的温度常温20～25℃；(4)宽带低水峰非色散位移单模光纤半成品氢损试验；氢氮混气体中氢气的浓度占1～2%；混气压力为常压～3Kg，反应时间为114～136小时，气体温度为常温20～25℃；(5)宽带低水峰非色散位移单模光纤脱气处理；(6)宽带低水峰非色散位移单模光纤半成品测试；(7)宽带低水峰非色散位移单模光纤成品包装入库。