一种基于铒掺杂CeO₂薄膜的电致发光器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于稀土铒掺杂CeO₂薄膜的电致发光器件，包括硅衬底，硅衬底正面依次设有发光层、透明电极层，硅衬底背面设有欧姆接触电极，所述的发光层为掺杂稀土铒的CeO₂薄膜。本发明还公开了该电致发光器件的制备方法和发光方法。本发明的电致发光器件在较低(＜10V)的正向或反向直流偏压(透明电极层接正电压时即为正向偏压，透明电极层接负电压时即为反向偏压)下均可得到位于可见区和红外区的铒离子的特征发光。