基于硅氢键流密度法的硅波导表面光滑工艺

摘要

本发明涉及一种硅基纳米光波导表面光滑化工艺。通过在氢氛围下快速高温退火处理，硅波导表面将形成Si‑H键，然后利用氢离子表面流密度矢量有高能态至低能态迁移趋向，实现波导侧壁亚纳米级光滑化处理。本发明与已有表面处理方法相比不仅效果更好，而且方便、高效；同时还可实现批量化处理，具有重要的理论与应用价值。