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用于半导体存储器的传感放大器驱动电路

摘要

通过导通或截止外部电压端与接地端之间的驱动晶体管来控制高密度半导体存储器的传感放大器的传感放大器驱动电路,它包括连接到驱动晶体管栅极的偏置电路,以控制其栅压,降低传感放大器驱动信号的峰值电流。而且,以具有双线性斜率的波形产生驱动信号,使噪声功率下降。该偏置电路连接到箝位电路实现对所述驱动电路有效恢复电压的箝位。所述驱动电路还包括含有两个以上顺序启动镜象电流电路的恒定电流电路使传感放大器驱动信号具有稳定双线性斜率。

著录项

  • 公开/公告号CN1023623C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日1994-01-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN91103355.6

  • 发明设计人 闵东暄;黄泓善;赵秀仁;陈大济;

    申请日1991-05-20

  • 分类号G11C11/40;G11C7/06;

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人吕晓章;匡少波

  • 地址 韩国京畿道水原市

  • 入库时间 2022-08-23 08:54:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-07-06

    专利权有效期届满 IPC(主分类):G11C 11/40 授权公告日:19940126 期满终止日期:20110520 申请日:19910520

    专利权的终止

  • 2002-06-12

    其他有关事项

    其他有关事项

  • 1994-01-26

    授权

    授权

  • 1993-09-08

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 1991-12-04

    公开

    公开

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