首页> 中国专利> 在激光切割加工中增加产量的方法以及切割半导体材料的激光系统

在激光切割加工中增加产量的方法以及切割半导体材料的激光系统

摘要

通过将长切割路径(112)分成多个较短的段(122),从约10μm到1mm,提高了穿过硅和类似材料的UV激光切割的产量。在将激光输出(32)移到第二短段并在第二段(122)内扫描预定的掠射束数目之前,在第一短段(122)内扫描激光输出(32)预定的掠射束数目。切口尺寸,段尺寸(126),和段交叠(136)可被操纵,以便将沟道回填的量和类型最小化。采用实时监视以便减少切割已经完成的切割路径(112)的再扫描部分。使激光输出(32)的偏振方向和切割方向相关联以便进一步提高产量。可以采用这一技术用多种不同激光和波长来切割多种材料。

著录项

  • 公开/公告号CN1240511C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2006-02-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科学工业公司;

    申请/专利号CN02811528.7

  • 发明设计人 J·N·奥布赖恩;L·C·邹;Y·孙;

    申请日2002-06-07

  • 分类号B23K26/04(20060101);H01L21/301(20060101);

  • 代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人赵蓉民

  • 地址 美国俄勒冈州

  • 入库时间 2022-08-23 08:58:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-07-21

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B23K 26/04 授权公告日:20060208 终止日期:20160607 申请日:20020607

    专利权的终止

  • 2006-02-08

    授权

    授权

  • 2006-02-08

    授权

    授权

  • 2004-09-29

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-09-29

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-07-28

    公开

    公开

  • 2004-07-28

    公开

    公开

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