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一种波长扩展型InGaAs雪崩光电二极管的外延结构

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摘要

本发明涉及一种波长扩展型InGaAs雪崩光电二极管的外延结构，所述外延结构采用与衬底晶格匹配的P‑型In_0.52Al_0.48As材料作为电子倍增层，失配的P‑型In_xGa_1‑xAs材料作为光吸收层，且采用能带递变和组分递变双过渡层；其中，0.53

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-02-16

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 31/107 登记生效日:20180130 变更前: 变更后: 申请日:20141204

专利申请权、专利权的转移
2017-05-24

授权

授权
2017-05-24

授权

授权
2015-05-13

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/107 申请日:20141204

实质审查的生效
2015-05-13

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/107 申请日:20141204

实质审查的生效
2015-04-22

公开

公开
2015-04-22

公开

公开

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1. 一种波长扩展型InGaAs雪崩光电二极管的外延结构 [P] . 中国专利： CN104538484B . 2017.05.24
2. 在GaP/Si衬底上外延生长InGaAs薄膜的方法及InGaAs薄膜 [P] . 中国专利： CN113314398A . 2021-08-27
3. Method for manufacturing InGaAsP and InGaAs double-heterostructure lasers and LED's for the wavelength range from 1.2 um to 1.7 um by liquid-phase epitaxy [P] . 欧洲知识产权局专利： EP0164093A3 . 1988-02-17

机译：通过液相外延制造波长范围为1.2um至1.7um的InGaAsP和InGaAs双异质结构激光器和LED的方法
4. Method for manufacturing InGaAsP and InGaAs double-heterostructure lasers and LED's for the wavelength range from 1.2 um to 1.7 um by liquid-phase epitaxy [P] . 欧洲知识产权局专利： EP0164093A2 . 1985-12-11

机译：通过液相外延制造波长范围为1.2um至1.7um的InGaAsP和InGaAs双异质结构激光器和LED的方法
5. A method for the production of ingaasp and ingaas - double hetero structure of lasers and - led 's by means of flue sig phases epitaxy for a corrugated layers narrow range of (lambda) = 1,2 (μm) m to 1,7 (μm) m [P] . 德国专利： DE3421215A1 . 1985-12-12

机译：一种通过烟道sig外延外延技术生产激光器和Ingaas-激光器和-led的双异质结构的方法，适用于范围为（λ）= 1,2（μm）m至1,7（ μm）米