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基于低电压数字CMOS器件的列并行比较装置

摘要

一种半导体图像处理电路领域的基于低电压数字CMOS器件的列并行比较装置,包括:斜坡发生单元、增益相关模式控制单元以及若干个列比较单元,增益相关模式控制单元输出开关切换信号至各个列比较单元,增益相关模式控制单元另外输出时钟频率调整信息和/或电压偏置强度信息至斜坡发生单元,斜坡发生单元向列比较单元输出斜坡信号。本发明采用低压数字MOS管代替高压模拟MOS管为比较器的基本单元,用增益相关的电荷共享方式来映像高电压范围到低电压范围,从而实现非常小的噪声性能的折衷的方法,增益相关的电路模式控制方法,提高电路性能的同时实现显著减小版图面积的效果。

著录项

  • 公开/公告号CN104734649B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-05-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 芯视达系统公司;

    申请/专利号CN201410742541.1

  • 发明设计人 不公告发明人;

    申请日2014-12-05

  • 分类号

  • 代理机构上海交达专利事务所;

  • 代理人王毓理

  • 地址 开曼群岛可里克特广场,维罗大厦4楼,KY1-1104

  • 入库时间 2022-08-23 09:56:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-05-31

    授权

    授权

  • 2015-07-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03F 3/45 申请日:20141205

    实质审查的生效

  • 2015-06-24

    公开

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